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    IPB016N06L3 G 全國供應商、價格、PDF資料

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    IPB016N06L3 G詳細規(guī)格

    類別:FET - 單
    描述:MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
    系列:OptiMOS™
    制造商:Infineon Technologies
    FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    FET特點:邏輯電平門
    漏極至源極電壓333Vdss444:60V
    電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:180A
    開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.6 毫歐 @ 100A,10V
    Id時的Vgs333th444(最大):2.2V @ 196µA
    閘電荷333Qg4440a0Vgs:166nC @ 4.5V
    輸入電容333Ciss4440a0Vds:28000pF @ 30V
    功率_最大:250W
    安裝類型:表面貼裝
    封裝/外殼:TO-263-7,D²Pak(6 引線+接片),TO-263CB
    供應商設備封裝:PG-TO263-7
    包裝:帶卷 (TR)

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